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Accessoires facultatifs ou indispensables pour Anet A8


Janpolanton

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Il y a 3 heures, Janpolanton a dit :

Dernières modification du circuit imprimé et comparaison avec un circuit vendu chez Amazon.

Remarquez la différence de taille du radiateur du nmos. Sur mon prototype en simple face, les piste véhiculant le courant fort font 1,2cm de large. et peuvent accepter un courant de 14.5A avec un échauffement de seulement 10°C. ce qui est suffisant pour un hotbed de 120 à 130W.

Pour les hotbed plus puissant, il faudrait passer le circuit imprimé en double face de manière à pouvoir élargir les pistes à 2.5cm ou 3cm pour drainer un courant de 25A à 30A.

5a81a8d8b44ae_largeurpistes.thumb.jpg.f2d086066707dadf1333d626717bf5d5.jpg5a81a8f514a22_nmoshotbed.thumb.jpg.6ba815edb4267694ea99e423d0037d8d.jpg

@Janpolanton tu a l'air de bien te débrouiller en électronique pur , remarque chacun sont métier ...

tu  nous tiens au courant de tes avancements (si je puis dire)

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J'ai fait fabriquer 10 circuit imprimés suivant mon modèle ci-dessus. Je les aurai dans 15 jours à 3 semaines. De toutes façons, on ne peut pas les faire fabriquer à l'unité.

J'ai fait la liste des composants et je vais passer une commande (mais pas en chine pour éviter les malfaçons).

Je verrai bien si des gens sont intéressés par ce circuit.

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Le ‎11‎/‎02‎/‎2018 at 18:04, Maeke a dit :

Oui, c'est le vrai.

par contre il a un défaut, il va parfois taper sur le connecteur.

@ Maeke

puisque vous en parler je viens d'acheter celui-ci , Est-ce le bon ou dois-je le renvoyer ?

J'ai vue que tu préconisais dans un autre poste de le placer devant et à coté de l'extrudeur,

ce n'est pas plus difficile à configurer le firmware ?

capteur anet.1.jpg

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@Didier3D

Il y a quantité de mosfet pouvant convenir, du moment que le RDS(on) est < 20milli Ohm.

Au choix : IRFZ44N - IRL3915 - IRF3205 - RFP70N06, etc. le choix est vaste.

J'en ai ciblé plusieurs à des prix bien inférieurs à 3€ (et même inférieur à 1€) et pas forcément chez les chinois

Je me fournis en général chez Mouser ou TME.

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Justement, ces modules sous-dimensionnés ne m'inspirent pas confiance et la taille du refroidisseur me laisse pantois....

Celui-ci vendu sur Amazon me parait bien plus sérieux https://www.amazon.co.uk/Hrph-Printer-Current-Upgrade-12V-50V/dp/B0714JXQT7

 

image.thumb.png.bc313435c3c31fe8452b9697d5d1aa87.png

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Même pas!

Les  2 circuits sont équipés de mosfet identiques (HA210N06).

D'ailleurs voilà un autre circuit (celui de la Anycube 3D) et tu peux remarquer la taille généreuse du refroidisseur.

Tu remarqueras quand même l'analogie avec mon module maison

Les petits machins rikiki, faut oublier...

Ça peut passer sur un bed de 120W, mais au delà, faut pas rêver.

C'est mon avis personnel.

image.thumb.png.1533005071dcc0158044f5a34e9d1dd9.png

 

image.png.253fcaf49ffc222fe8fef14eb7e39cbd.png

Modifié (le) par Janpolanton
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Si ça t'intéresse, je peux te passer un pdf sur l'étude thermique des mosfet.

C'est accessible au niveau des formules de calcul et c'est très bien expliqué avec l'exemple du datasheet du VNP10N07.

Ce que je n'arrive pas à savoir, c'est la fréquence du signal PWM du firmware de l'ANET.

Car plus la fréquence augmente, plus le mosfet chauffe (il n'aime pas trop le PWM)

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essaies d'éplucher un fichier configuration.h de Marlin pour la A8, ils ont du utiliser les même valeurs ou presque non?

Par contre j'ai les mosfets pointés par didier3d sur mon imprimante depuis mai 2017, la seule panne que j'ai eu venait d'une soudure qui a été mal faite (c'est pour çà que je peux paraitre un peu obsédé avec les histoires de mauvaises soudures), et j'ai imprimé de l'abs pendant des mois.

Ps j'ai eu la curiosité de vérifier la température du dissipateur, aucun problème pour poser le doigt dessus.

Modifié (le) par Maeke
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Je me suis justement appuyé sur le config.h du marlin pour simuler ce fonctionnement

Citation
Bed Temperature Control
// Select PID or bang-bang with PIDTEMPBED. If bang-bang, BED_LIMIT_SWITCHING will enable hysteresis
//
// uncomment this to enable PID on the bed. It uses the same frequency PWM as the extruder.
// If your PID_dT above is the default, and correct for your hardware/configuration, that means 7.689Hz,
// which is fine for driving a square wave into a resistive load and does not significantly impact you FET heating.
// This also works fine on a Fotek SSR-10DA Solid State Relay into a 250W heater.
// If your configuration is significantly different than this and you don't understand the issues involved, you proabaly
// shouldn't use bed PID until someone else verifies your hardware works.

// If this is enabled, find your own PID constants below.

image.thumb.png.58fd138c6ee12a167dbb93974e45bfed.png

Modifié (le) par Janpolanton
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Par défaut, mais de toutes façons la fréquence du PWM tourne autour de 8Hz, on distingue nettement le clignotement de la LED.

Et justement, le but est de ne pas avoir une fréquence trop élevé de manière à éviter l'emballement thermique du mosfet (je parle de celui qui est sur la carte mère).

Demain matin, je lui mettrai un oscillo au cul, on sera fixés.

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Voilà, j'ai mis l'oscillo sur le bed. J'ai commencé par l'analogique mais les signaux n'étaient pas assez rapides pour y voir quelque chose, hormis qu'il n'y a pas de signal PWM de fréquence élevée sinon je l'aurais visualisée.

Du coup, j'ai branché mon oscillo numérique sur PC.

J'analyse ces données et je reviens les commenter.

 

 

5a85547c0906a_sortiehotbed.thumb.jpg.cdccc0d6a8dbda857e174f01ed005424.jpg

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Rapide analyse qui corrobore mes suppositions. On a des salves de environ 0.12s (mesuré sur le graphique avec une règle d'où imprécision de la mesure) soit une fréquence PWM de 8.33Hz.

Citation

// Select PID or bang-bang with PIDTEMPBED. If bang-bang, BED_LIMIT_SWITCHING will enable hysteresis
//
// Uncomment this to enable PID on the bed. It uses the same frequency PWM as the extruder.
// If your PID_dT is the default, and correct for your hardware/configuration, that means 7.689Hz,
// which is fine for driving a square wave into a resistive load and does not significantly impact you FET heating.

 

Pour info, 7.689Hz correspond à une période de 0.13005s

Nota : Lors de la mesure, j'ai inversé les sondes, c'est pourquoi le OV est en haut sur la courbe. Je note aussi que je n'atteins pas les 12V sur le hotbed (10.2V crête mesuré), ce qui explique peut-être les difficultés d'atteindre les températures élevées puisqu'il manque 2V.

Avec une résistance du hotbed de 1 Ohm en moyenne, la puissance maximale réelle dissipée sera de 10.2²/1 (U²/R) soit 104.04W (loin des 120W annoncés tout de même)...:/

Ce défaut sera normalement corrigé par l'adjonction du module mosfet externe.

 

 

 

 

5a855ccbbdc24_analysecourbe.thumb.jpg.d5e81fcc6735fb696c3f251ec4bc584e.jpg

Modifié (le) par Janpolanton
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et qui expliquerait aussi pourquoi certains disent de régler l'alim sur 13V voir 13.5V.

Au passage mon plateau Anet n'a jamais dépassé 96°, mais le plateau mk3 de mon ultrabase atteint lui presque 110° sur la même imprimante, sans toucher à quoi que ce soit d'autre que le plateau.

Modifié (le) par Maeke
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il y a 18 minutes, Maeke a dit :

Au passage mon plateau Anet n'a jamais dépassé 96°, mais le plateau mk3 de mon ultrabase atteint lui presque 110° sur la même imprimante, sans toucher à quoi que ce soit d'autre que le plateau.

Compare les valeurs de résistance entre les 2 pour voir. Probablement que le MK3 aura une résistance plus faible, mais pour mesurer ces valeurs avec précision, il faut un mill-ohmètre.

Un multimètre n'est pas suffisamment précis.

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Oui, et le mien n'est pas de toute première jeunesse. Et je sais bien que le mk3 a une résistance une poil plus faible, la loi d'ohm ne trompe pas.

Mais çà veut aussi dire que le mosfet encaisse plus de courant avec le plateau mk3 qu'avec le plateau Anet (même si la différence ne doit pas être énorme je pense).

Modifié (le) par Maeke
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@Maeke

Voici le schéma de celui que je me suis fabriqué.

Comme tu peux le remarquer, il est d'une extrême simplicité qui n'enlève rien à sa précision.

Il est construit autour d'une source de courant basée sur un LM317 réglée précisément à 100mA par l’intermédiaire du multi-tours RV1.

Les mesures se font en direct sur un multimètre sur le calibre 200mV pour des mesures de résistance de 0 à 2 Ohm

R = U/I avec U  = 200mV et I = 100mA (200/100 =2)

 

image.thumb.png.e7a9b548dacae7283f112e7551a0b6c6.png

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il y a 43 minutes, Maeke a dit :

Mais çà veut aussi dire que le mosfet encaisse plus de courant avec le plateau mk3 qu'avec le plateau Anet (même si la différence ne doit pas être énorme je pense).

Logiquement oui, comme tu l'as dit, la loi d'Ohm est là. Maintenant, la puissance dissipée dans le mosfet va être aussi plus élevé puisque proportionnelle au carré de l'intensité multipliée par la résistance Drain - Source RDS(on)

P=I²*RDS(on)

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yep, je sais. mais mon mosfet a survécu au traitement. Maintenant je ne garanti pas qu'il le fera après un an à ce régime. mais je vais probablement rajouter un bon ventilo pour souffler sur la carte mère et le mosfet. C'est déjà en projet. Et puis après tout, je peux aussi essayer de remplacer ce dissipateur.

ps @Janpolanton tu as des pcbs de ton milli-ohmmètre?

Tiens regardes ce que je viens de trouver, çà pourrait me permettre de jouer un peu avec un arduino http://circuitcellar.com/cc-blog/build-an-accurate-milliohm-meter/

Modifié (le) par Maeke
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